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Maxim

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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供Maxim（美信半導(dǎo)體） DS1230Y-85+及技術(shù)資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項(xiàng)工作并將產(chǎn)品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：DS1230Y-85+

制造商：Maxim Integrated

描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

產(chǎn)品系列：存儲器

包裝：管件

系列：-

零件狀態(tài)：有源

存儲器類型：非易失

存儲器格式：NVSRAM

技術(shù)：NVSRAM（非易失性 SRAM）

存儲容量：256Kb（32K x 8）

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：-

寫周期時間-字，頁：85ns

訪問時間：85ns

電壓-供電：4.5V ~ 5.5V

工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）

安裝類型：通孔

產(chǎn)品封裝：28-DIP 模塊（0.600，15.24mm）

DS1230Y-85+，Maxim（美信半導(dǎo)體）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：DS1230Y-85+

原始制造廠商：Maxim Integrated（美信半導(dǎo)體）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲器

點(diǎn)擊此處查詢DS1230Y-85+的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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